InP/InGaAsPN结场助光电阴极器件的制备工艺分析
2025.04.15点击：
摘要：阐述场助光电阴极器件的工作原理，即利用高电场辅助电子越过表面势垒以实现高效光电发射。研究了n-InGaAs/p-InP/p-InGaAs的PN结型场助光电阴极器件的制备工艺，包括清洗、光刻、套刻、镀金属电极、剥离和刻蚀等步骤。通过高温清洗激活，制备了发射面与电极宽度比为4μm:16μm的场助光电阴极器件。其中，刻蚀工艺利用InP作为阻刻层，采用湿法刻蚀，刻蚀溶液为H3PO4:H2O2:H2O（比例为3:1:40）。
关键词： 场助光电阴极;制备工艺;湿法刻蚀;PN结;
专辑： 信息科技;工程科技Ⅰ辑
专题： 材料科学;无线电电子学
分类号： TB34;TN14
在线公开时间： 2025-04-11 08:56（知网平台在线公开时间，不代表文献的发表时间）
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